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ICP刻蚀采用侧壁钝化技术,沉积与刻蚀交替进行,各向异性刻蚀效果好,在精确控制线宽的下能刻蚀出高深宽比形貌。其基本原理是:首先在侧壁上沉积一层聚合物钝化膜,再将聚合物和硅同时进行刻蚀( 定向刻蚀) 。在这个循环中通过刻蚀和沉积间的平衡控制来得到精确的各向异性刻蚀效果。钝化和刻蚀交替过程中,C4F8与SF6分别做为钝化气体和刻蚀气体。第一步,通入C4F8气体,C4F8在等离子状态下分解成离子态CF+x基,CF-x基与活性F- 基,其中CF+x基和CF-x基与硅表面反应,形成nCF2 高分子钝化膜。第二步刻蚀过程,通入SF6气体,增加F 离子解离,F-与nCF2反应刻蚀掉钝化膜并生成挥发性气体CF2,往复循环接着进行硅基材的刻蚀。
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