深硅刻蚀代工
发表于：2020-04-27 作者：ioptee01 关注度：634
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北方华创 HSE200 型深硅刻蚀机
1、设备描述： ICP-RIE 刻蚀系统，具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于 150mm 晶片（可兼容直径 150mm 晶片或以下尺寸样品）
的高深宽比各向异性刻蚀;快速切 换工艺气体；采用 BOSCH 工艺，背氦冷却，专用于深硅刻蚀。
2、技术指标：
（1）4 路工艺气体：C4F8、SF6、O2和 Ar；
（2）ICP 主射频功率：50-3000W；副射频功率 50-1500W；Bias 源功率： 15-600W；匹配稳定时间＜1s；
（3）下电极温度范围-20～80℃下电极控温精度±0.5℃；
（4）光刻胶选择比＞50，氧化硅选择比＞150。
3、样品要求：
（1）最大样品尺寸为 6 英寸；向下兼容；
（2）可使用光刻胶和氧化硅作为刻蚀掩膜；
刻蚀效果图：
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