低压化学气相沉积法 代加工
发表于：2019-10-24 作者：gdisit 关注度：627
设备名称：低压化学气相沉积法（LPCVD）
用途：干氧SiO2，湿法SiO2，SiNx生长，更好的成膜致密性
技术指标：
1、温度：300～1100℃，恒温区：350mm/±1℃
2、极限真空度:8×10-1Pa，压力测控范围：1Pa～1000Pa
3、适用晶片：50*4英寸、50*6英寸
4、膜厚均匀性（150nm）片内≤2% 片间≤2% 批间≤2%
立足行业，回馈社会，本平台将秉承“专业、稳定、高效、合作共赢”的理念，竭诚为您服务
网站首页
购物车
用户中心
全部产品分类
