等离子体增强化学气相沉积 镀膜代加工
发表于:2019-10-24 作者:gdisit 关注度:565
设备名称:等离子体增强化学气相沉积(PECVD) /英国牛津仪器
用途:沉积SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
技术指标:
1. RF射频源:高频13.56MHz 功率0-300W;低频50-460KHz 功率0-500W
2. 反应气体:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
3. 样品尺寸:43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸
4. 下电极温度:室温-400℃可调
5. 镀膜均匀性:<±3%