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等离子体增强化学气相沉积 镀膜代加工

发表于:2019-10-24  作者:gdisit  关注度:565

      
设备名称:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)  /英国牛津仪器

用途:沉积SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜

技术指标:
1. RF射频源:高频13.56MHz 功率0-300W;低频50-460KHz 功率0-500W
2. 反应气体:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
3. 样品尺寸:43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸
4. 下电极温度:室温-400℃可调
5. 镀膜均匀性:<±3%

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