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芯片漏电定位手段总结
芯片漏电是失效分析案例中最常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有个误区，认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导（laser scan Microscope).
目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#利（日本OBIRCH、美国TIVA、新加坡VBA）。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导，其实TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理：
1、OBIRCH和TIVA
如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V代表回路上的电压。
OBIRCH；给器件回路加上一个电压V，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电流I1的变化.
TIVA：给器件回路加上一个微小电流I1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电压V的变化.
2、VBA技术
如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V1代表回路上的电压，R2是串联在回路中的一个负载，V2是R2两端的电压。
OBIRCH；给器件回路加上一个电压V1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测V2的变化(V2/R2=I1，其实也是监测I1的变化），这样大家可以看出来了，VBA其实就是OBIRCH，只是合理回避了NEC专#利。
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