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11月9日，英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。
氮化镓又被称作第三代半导体，是当今世界上最具潜力的半导体材料之一，并被预言将会在不久的未来改变世界。硅基氮化镓产业早在20年前就开始在欧洲和美国等地发展，如今在产品和技术方面已经取得了重大进展。然后，在中国该产业才刚起步，中国在这一产品领域尚属空白。
英诺赛科（珠海）科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术，突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战，将碎片率大幅降至1%以下领先水平。经过两年的努力，该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，主要产品包括100V-650V氮化镓功率器件，设计及性能均达到国际最先进水平，将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。
“建设一个自主可控、安全的生产体系，这是半导体行业、信息产业的责任。企业只有建立起自己的研发体系、人才体系，这样才能不断进步，不断领先。”中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田当天在现场表示，作为半导体行业协会，政策上将着重在科研体系的建立、人才培养等方面给予关注，与所有企业一起改善环境，参与国际竞争、国际交流，推动产业发展。
当天，多名业内专家在随后举行的研讨会上谈到，氮化镓产业已经到了爆发前夜，在8英寸硅基氮化镓晶圆产业化上取得重大突破，为今后该领域的发展奠定了良好基础，必将为中国在半导体领域实现“换道超车”作出重要贡献。
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