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苏州原位芯片科技有限公司为客户提供高质量的微电子工艺流片服务和技术咨询。可提供订制的工艺包括：光刻、反应离子刻蚀、金属蒸镀、LPCVD生长氮化硅、氧化硅和划片等等,为MEMS芯片开发、MEMS技术研究、纳米材料FET研究、光栅研究等领域提供代开发、代加工服务。
1. 工艺设计：
MEMS结构设计需要综合考量多种因素，苏州原位公司的专业团队提供MEMS结构和工艺设计服务，可以有效优化工艺流程，减少后续开发的周期和成本。
2.镀膜服务：
小片、2寸、4寸和6寸基底蒸发或溅射：Ti、Al、Ni、Au、AuGe、Cr、Pt、Ag、Cu、TiW、Pd、Zn、In、SiO2、MgF2、OS50、ITO、TiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、Si3N4和SiO2。(其他材料请直接电话联系咨询)
3.光刻
小片、2寸、4寸和6寸的接触式曝光或步进曝光，最小线宽500nm。
4.刻蚀
提供干法（NLD、RIE、深硅刻蚀等）和湿法（各向同性和各向异性）刻蚀服务。
5.封装
包括划片和键合等封装工艺服务。
凭借5年以上经验的专业MEMS设计和工艺工程师团队，苏州原位芯片可以赋予客户和合作伙伴MEMS技术的翅膀，快速实现产业和学术技术开发和升级。
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