HF干法刻蚀工艺
发表于：2015-01-28 作者：admin 关注度：513
在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用气态氢氟酸溶液加以进行。而二氧化硅可与氢氟酸进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下： SiO2 + 6HF=H2 + SiF6 + 2H2O。
相比其他液态氢氟酸气化或者其他载气输运模式，SPTS采用以气态乙醇作为载气与气态氢氟酸混合后对二氧化硅介质进行选择性蚀刻，并及时处理在反应过程中出现的水汽，真正做到无水刻蚀。一方面体现出对硅衬底，金属以及低应力氮化硅等都有非常好的选择性，因为在水汽作用下，金属等其他材料也会被氢氟酸所腐蚀；另一方面在没有水汽的环境中供刻蚀释放的器件不会出现由于液态张力而与衬底表面的粘附性失效。
SPTS的HF氢氟酸刻蚀设备提供多方面的工艺可调性，客户可以根据本身产品的需求在工艺温度，工艺压力，各种气体分压，各种气体流量等参数中选择最适合的参数来优化产品性能，当然在此过程中SPTS也会派遣最有经验的工程师与客户一起合作进行工艺开发。
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