半导体工艺代加工

发表于：2019-11-05  作者：gdisit  关注度：1688

       广东省半导体产业技术研究院是直属于广东省科学院的23个骨干科研院所之一，本院主要面向半导体照明创新应用、功率电子器件、新型显示、先进封装等领域。本院拥有5000平方米的研发基地（其中超净实验室800平方米），拥有MOCVD、真空镀膜机等120多台/套关键设备，设备总价值逾1亿元。目前已建立材料外延、微纳加工、封装应用、分析测试四大科研平台，是国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一，研发实力雄厚。
      广东省半导体产业技术研究院微纳加工平台，拥有半导体器件制备工艺研发所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸。微纳加工平台面向国内外科研机构和企业提供全方位的开放服务，我们将对半导体材料与器件的深入研发给予全方位支持，为广大科研单位和企业提供高品质服务。
                                              
                                                                                实验室内景

                    
   
                                                                部分代工工艺介绍

    1.设备：光刻机     

      功能：光刻胶图形化

                    
                                                            1um线宽光刻

      2.设备名称：感应耦合等离子刻蚀机（ICP）

         用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO₂、Si₃N₄等材料
                           
                                                 GaN深刻蚀：各向异性刻蚀

      3.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）  

        用途：沉积SiO₂、SiN_X薄膜、不含H的SiN_X薄膜、SiNO_x薄膜



      4.设备名称：低压化学气相沉积法（LPCVD）

        用途：干氧SiO₂，湿法SiO₂，SiN_x生长，更好的成膜致密性



     5.设备名称：ITO电子束蒸发台

        用途：蒸发透明导电薄膜ITO



    6.设备名称：金属电子束蒸发台

       用途：蒸发Ti，Al，Ni，Cr，Pt，Au，Ag、Mo等金属



    7.设备名称：磁控溅射台

       用途：溅射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金属薄膜
               溅射AlN、ITO、SiN、SiO₂、TiO₂、ZnO、IGZO等化合物材料。



    8.设备名称：电阻蒸发台

用途：In/AuSn/SAC等低熔点金属薄膜蒸发


    9.设备名称：快速退火炉 

 用途：应用于半导体材料、器件、新材料等快速热处理

  

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