等离子增强化学气相沉积（PECVD设备）主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

 

 

设备用途和功能特点

1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

3、配置尾气处理装置。

 

设备安全性设计

1、电力系统的检测与保护

2、设置真空检测与报警保护功能

3、温度检测与报警保护

4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

 

设备技术指标

 

 样片尺寸  ≤φ6英寸（或3片2英寸）

 样片加热台加热温度  室温～ 600℃±0.1℃

 真空室极限真空  ≤7×10^-5Pa

 工作背景真空  ≤8×10^-4Pa

 设备总体漏放率  停泵12小时后，真空度≤10Pa

 样品、电极间距  5mm ～ 50mm在线可调

 工作控制压强  10Pa ～ 1500Pa

 气体控制回路  根据工艺要求配置

 单频电源的频率  13.56MHz

 双频电源的频率  13.56MHz/400KHz

 

工作条件

 

 供电  三相五线制 AC 380V

 工作环境温度  10℃～ 40℃

 气体阀门供气压力  0.5MPa ～ 0.7MPa

 质量流量控制器输入压力  0.05MPa ～ 0.2MPa

 冷却水循环量  0.6m³/h 水温18℃～ 25℃

 设备总功率  7kW

 设备占地面积  2.0m ～ 2.0m

 

PECVD及太阳能薄膜电池设备

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