薄膜溅射腔体用于薄膜的溅射；在一相对稳定真空状态下，阴阳极间产生辉光放电，极间气体分子被离子化而产生带电电荷，其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材，将其原子等粒子溅出，此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜。

模块构成及其功能描述

· 基片工作面朝上

· 具有预清洗功能（通过被电离的氩离子轰击晶片表面，实现预清洗功能）

· 靶材与晶片距离：45毫米

· 具有脉冲可移动磁铁设计

· AE公司10kW脉冲直流电源

· 兼容4英寸/6英寸晶片（需加装尺寸转换零件）

· 分子泵
型号：普发真空HiPace 300

氩气抽速：250 l/s

极限真空：7.5 • 10-8 Torr

· 具有镀膜时冷却基片功能，通Ar气冷却，利用空气对流原理

· 配备2根气路，配有气动隔离阀和过滤器：Ar流量范围是0-140SCCM; O2流量范围是0-100sccm

· 标准晶片底座配置

· 晶片底座带有偏置电压，0-600W,13.56MHz，自动阻抗匹配

· 2套标准陶瓷件

磁控溅射的功能是通过利用 Ar一O2混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。

操作控制系统

· 控制系统安装在Windows操作系统中，主控制服务器可以控制每个腔室。自动化软件能单独控制每一个工艺腔室，能监控设备运行状态，实时监控工艺参数，电脑能自动存储工艺数据。系统软件可对各腔室工艺编辑，编程控制膜层溅射顺序，一个工艺流程可以涉及多个工艺腔室，按程序依次对片盒中晶片镀膜。具有EMO开关，配置UPS电源，在突发断电时，系统可以安全关机。满足数字化工艺控制，具备设备监控与管理数据采集接口，通过MES系统连接可实现实时监控和数据采集。

· 用户界面有高端且易用的工艺方案管理系统。自动化软件能单独控制每一个工艺模块，即所有工艺模块可以同时运行，互不干扰，一个工艺流程可以涉及多个工艺腔室，即能同时使用所有的工艺腔室，增加灵活性程度及产能更高。

· 数据记录提供了实时数据采集。用户可以决定每一个工艺步骤中哪些变量要被记录，并且可以在屏幕上显示、存储和打印这些数据。