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CPI系列纯化学抛光设备是 MCF 公司研制的一款，对于高精度的半导体晶片及其它电子、光电晶体的表面进行最终腐蚀抛光工艺的设备，可以实现最低的次级表面损伤。CPI系列化学抛光设备具有强防腐蚀的功能，在保护操作人员人身安全的情况下，还能够很好的满足腐蚀抛光溶剂，如溴甲醇，过氧化氢或酸腐蚀剂等，同样也适用于腐蚀性较弱的化学抛光，如半导体晶片的背面抛光。CPI系列纯化学抛光设备可以与GNAD系列精密研磨抛光设备配合使用，可以实现电子器件对于晶片表面平整度、平行度及厚度非常苛刻的控制要求，并能完全达到这些控制标准。

特点

• 无任何机械作用力，实现最低次级表面损伤

• 超强防腐材料制成，由聚丙烯，涂PVDF和环氧的聚亚安酯制成，可用于多种侵蚀剂液，如溴-甲醇等。

• 加工样品尺寸（3×3＂），（3×4＂），（2×3＂和1×4＂），（1×3＂和2×4＂），（3×3＂和3×4＂）等多种尺寸组合可根据用户工艺要求定制。

• 滴液速度、磨盘转速可设置，摆速可从0到45每秒，操作方便，可远程控制。

• 时间从0到10个小时自由调节，到达设定时间时，仪器可以继续运行，也可以设置成自动停止。

• 半导体晶片和光晶体的高精度腐蚀抛光，并提供晶体最小应力的解决方案

原理      

设备由主驱动系统，防腐蚀填料系统，废料疏导系统和远程控制系统组成，抛光盘更换方便，并且容易清洗。主驱动系统配有齿轮驱动装置，样品在行星齿轮内绕着中心齿轮同步转动，保证了样品表面平整度和平行度。

应用

1、用于红外探测和其它器件的碲锌镉,锑化铟，碲镉汞等材料在封装及外延生长前的末级化学腐蚀抛光。

2、用于薄脆的半导体材料，如砷化镓，磷化铟和多种Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。

3、用于所有需要电子/光学级抛光的高标准应用，如硫化镉及类似的光电材料。