一、产品介绍：

真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体，炉内抽真空，被处理工件放置在炉膛内，采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗（清洗气体：N2，H2）。主要用于有效清除MOCVD承受器（SiC涂层石墨盘或石英盘）上的氮化镓和氮化铝等，可达到有效清洁处理，提高制品质量的目的。

二、设计特点：

1、后门设计热风电机

2、降温时风机开启，同时两端降温封头开启，炉膛内产生如图所示的气体流向

3、通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换，达到快速降温的目的

三、技术指标

1、使用温度：1450℃；最高温度：1500℃；

2、绝热材料：石墨纤维毯、石墨纸；

4、加热元件：石墨加热棒；

5、冷却方式：气冷 + 循环风冷降温；

6、控温稳定度：±2℃，具有PID参数自整定功能；

7、炉膛温度均匀度：±5℃（恒温1500℃）；

8、气氛: 可向炉膛内通入干燥、洁净、无油的高纯度氮气,纯度≥99.999%；

9、极限真空: 10-3torr级；

10、抽气速率：空载下，30min达到10-2torr

11、升温功率：170kW；

12、升温速率：15℃/min（空载）；

13、降温速率：1450℃至80℃,240分钟

14、腔体尺寸：1000*1000*1000mm（宽*深*高）
 


*技术细节变动之处，恕不另行通知，具体设备参数以咨询结果为准。

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