Sentech ICP-RIE SI 500:

超高密度等离子体

纳米结构损伤小

由于离子能量分布较低，可以实现低损伤蚀刻和纳米结构。       

简单高速腐蚀

高长径比MEMS用硅的高速率蚀刻是很容易进行的，无论是使用室温工艺或光滑侧壁的低温工艺。       

室内等离子体等离子体源

平面三螺旋天线(PTSA)源是Sentech高端等离子体加工系统的一个独特特点。PTSA源产生离子密度高、离子能量分布均匀的等离子体。它具有耦合效率高和良好的点火性能，可加工多种材料和结构。       

动态温度控制

衬底温度的设置和蚀刻过程的稳定性是高质量蚀刻的要求。采用动态温度控制的ICP基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在-150℃到+400℃的大范围温度范围内，提供了优良的工艺条件。      

SI 500代表了电感耦合等离子体(ICP)加工在研究和生产上的领先优势。它以PTSA等离子体源、动态控温基片电极、全控真空系统、先进的Sentech 控制软件为基础，采用远程现场总线技术，为操作SI 500提供了非常人性化的通用用户界面。灵活性和模块化是SI 500的设计特点。       

从直径200毫米的晶圆片到载于载体上的各种基片，都可以在SI 500 ICP蚀刻机中加工。单片真空负荷锁，工艺条件稳定，工艺切换方便。       

SI 500 ICP蚀刻机可用于加工多种材料，包括但不限于III-V复合半导体(GaAs、InP、GaN、InSb)、介质、石英、玻璃、硅、硅化合物(SiC、SiGe)和金属。       

Sentech 提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的蚀刻和沉积模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500也可以作为集群配置上的进程模块使用。