DS-2000/14K型无掩膜光刻机

主要技术指标：

单次曝光面积：1.4mm×1mm

最大曝光基片：100mm ×100mm

对准精度：±0.8μm（半自动对准）

最大胶厚：300μm（SU8胶）

自动逐场对焦；

分辨力：1μm；

X、Y、Z、θ四自由度电动位移台

X、Y平移重复定位精度：0.65μm（3σ）

Z向运动精度：1μm

技术特点：

该机可采用紫外光、深紫外光、甚至更短波长的极紫外光作为光源，用DMD数字微镜阵列替代传统掩模板，采用积木 错位蝇眼透镜实现高均

匀照明，并配备了双目双视显微镜和CCD图象对准系统（可同时使用），拼接获得大面积图形，曝光设定采用微机控制，菜单界面友好，操作简便。