配置 测试范围 测试参数 条件 范围
电压
1000V IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V
100-1000V±3%±5V
1000-4500V±3%±10V
电流
200A MOSFETs
MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA
100mA-2A±3%±5mA
2A-200A±3%±50mA
DIODEs
二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J
100J-500J±3%±5J
500J-2000J±3%±10J
PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器）
感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
重复间隙时间 1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次