1.设备用途
1.1用于各种金属薄膜、半导体薄膜、介质薄膜、超晶格薄膜、集成光学薄膜、多层薄膜和薄膜器件的制备；
1.2广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备；
2.技术指标
| 真空度及抽速 | 溅射室极限真空度：≤6x10-5Pa(经烘烤除气后)； 系统真空检漏漏率：≤5x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气：溅射室35分钟可达到6x10-4 Pa； 系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa； |
| 真空获得及测量 | 复合分子泵+机械泵+超高真空插板阀。采用数显复合真空计测量：10-5Pa到大气压 |
| 真空室 | 真空室为圆筒形立式前开门结构，尺寸约Ф450mmx600mm，全不锈钢结构。可内烘烤到100～150℃，选用不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行化学抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；手动前开门结构 |
| 磁控靶 | 进口2英寸永磁靶，3支，其中一支为强磁靶（溅射铁磁性材料）；射频与直流兼容；单独气动挡板。 |
| 样品 | 样品尺寸≤Φ100mm；可加热室温—600°C，热电偶闭环控制。5—10转/分连续可调，单独挡板，可加-200V偏压。 |
| 配套电源 | 直流电源500W，2台；射频电源（13.56MHz）500W,自动匹配：1台 |
| 气路 | 100SCCM（Ar）、50SCCM（O2）质量流量控制器 |
| 水冷系统 | 冷却循环水机组，制冷量3KW。相关分水器，阀门等。水路报警系统。 |
| 控制系统 | 自动或手动 |