1、 设备用途：本设备用于制备各类高熔点金属膜、介质膜、化合物膜、导电薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构对薄膜材料的科研及小批量制备。
2.技术数据：
| 极限真空度（分子泵系统） | 5.0×10-4Pa | 压升率 | 0.33Pa/H |
| 电子束蒸发源 | e型电子枪 | 阳极电压 | 6KV、10KV |
| 功率 | 0—6KW可调 | 坩埚容积 | 10－15cc |
| 转盘可放样品数 | 6个 | 样品最大尺寸 | Ф60mm |
| 加热温度 | 室温～400℃ | 控温精度 | ±1℃ |
| 样品公转转速连续可调 | 0-60RPM |
2.2主真空室立式U型真空室前开门，双层水冷
2.3主真空室真空获得系统分子泵，机械泵，高真空气动挡板阀
2.4石英晶体振荡膜厚监控仪速率分辨率0.1－99.9à/分，厚度分辨率1à
2.5气路系统设有一路高精度氧气质量流量控制器，流量0-50SCCM
3.技术规格：JEBC-xxxx