高分辨聚焦离子束(Xe)扫描电镜XEIA3
新一代超高分辨SEM/i-FIB双束聚焦扫描电镜工作平台
XEIA3，是一款独特的集多种功能于一体的新型双束聚焦(XE)扫描电子显微镜，它性能优异，为用户提供完美的整体解决方案。XEIA3不仅配有大功率的FIB以进行超快速的微米或纳米级切割，还具备出色的低能粒子束成像能力，同时亦可以进行快速可靠地显微分析以及样品分析的3D重建。
关键参数特征
- 功能强大的SEM电子光学系统，采用高亮度的Schottky发射器为电子源，具有束流大，噪点低，非凡的成像能力等特点
- In-Beam探测器能够确保在极小的工作距离下仍能收集信号，进行高品质成像
- 采用Xe等离子体源的超快速FIB系统。 束流大，具有惊人的离子束切割速度，因此在切除大体积块状材料时卓有成效；同时较低的离子束流便于完成样品表面抛光
- 电子束减速技术（BDT）助力于进行超低着陆电压下的完美成像
- 隔离材料的植入、掺杂或降解更少，这点对于半导体行业相当重要
- SEM与 FIB两系统互补，即使用FIB进行样品切割或沉积时，可同时进行SEM成像拍照
- TESCAN电镜独有的各种自动化操作技术，如In-Flight Beam TracingTM技术可通过计算精确的调节高分辨率成像所需的参数设置（例如工作距离WD、放大倍率等）
- DrawBeam 软件模块是一个便于进行图案设计的工具，3D功能亦很强大，使用它可在FIB切割或粒子束蚀刻等过程可实时获取图像
- 为3D EDX及3D EBSD等三维显微分析技术带来全新的解决方案
- 独家集成了飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）与 扫描探针显微技术，可扩展的大样品室，使用户能够进行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻检验，12’’ 晶片光刻检验是TESCAN电镜独有的技术能力
- 气体注入系统 (GIS) 有助于使FIB完成更多应用
- 高性能的电子成像能力，其成像速率可高达20 ns/pxl, 同时具备出色的沉积速率及超快的扫描速度
- 涡轮分子泵及前级泵的高效能有利于保持样品室的清洁度；电子枪通过离子吸气泵获得真空
TESCAN公司不仅为用户提供行业领先的先进仪器设备，而且长期致力于为研究者提供最大的技术支持以推动人类科学与技术的进步 。XEIA3新型电镜的推出，彰显了TESCAN的这份使命感。同时，这点也体现在TESCAN积极地为用户提供全方位的定制化服务上。TESCAN愿携手来自材料/生命科学以及半导体/工程等诸多行业领域的研究人员，共同迎接未来的挑战。
Xe等离子体源，极大地扩展FIB的应用能力
XEIA3型电镜为双束聚焦扫描电子显微镜，同时集成了以Xe等离子体为离子源的FIB系统和具有超高分辨率的SEM系统。FIB和SEM两系统的协同作用，能够完成一项迄今为止尚未实现的功能——以极快的速度进行大块材料的FIB切割去除。同时，SEM电子显微系统具有低于2nm的极佳分辨率，能够帮助科学研究或高科技产业开发并完成更多的应用。而且，大束流的等离子体离子源也能大大扩展该电镜的使用范围，帮助用户完成更多工作。
应用实例
半导体和微电子领域
Xe等离子体源的FIB系统，能够为用户提供更加快速便捷的技术手段，使其更好地利用能谱（EDX）、波谱（WD）等化学成分分析方法，更能够充分发挥3D EDX和3D EBSD的功能及特点。同时，XEIA3还能够搭载飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），用于进行优异分辨率的表面分析。以上可知，XEIA3是一个功能超级全面的分析平台，其在材料科学领域所呈现的研究能力显而易见。
- 新材料及其形貌表征的研究
- 晶体、陶瓷及高分子等非导电材料研究
- 复杂结构碳纳米管的图案结构观察
碳纳米管 Ag纳米线
材料科学
XEIA3双束聚焦离子束扫描电镜配有大功率Xe等离子体源FIB系统，特别适合半导体和微电子行业的检测和应用。用户可采用大束流进行快速FIB切割，大束流也适用于制备材料薄层切片或切割较大横截面；使用中等束流进行抛光，并去除表面加工痕迹；小束流用于进行切割截面或薄层切片最后的精抛光。另外，FIB进行离子刻蚀能够获得更好的蚀刻图案分辨率。
