LCCP-6A型全自动刻蚀机
系统简介
鲁汶仪器生产的LCCP-6A型全自动RIE刻蚀机是一台实验室常备通用刻蚀机。
可通F基气体刻蚀Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Ge、W、Mo、Ta、石英等。还可通氧气去除光刻胶和刻蚀有机膜。
刻蚀工艺全自动，软件中包括刻蚀材料的推荐工艺菜单，操作简单，重复性好，经久耐用。
刻蚀线宽最小可达200nm。
刻蚀速率随材料的不同而异，一般为100~500nm/min。
机器性能
1、刻蚀速率：100~500nm/min（由被刻蚀材料而定）。
2、刻蚀均匀性：≤±5%(6"片)。
标准机型主要配置
1、阳极氧化铝腔室；
2、分子泵、机械泵高真空机组；
3、射频电源带自动匹配器；
4、数字真空计和压力开关；
5、气路系统、数字流量计标配5套，可定制增减；
6、调压阀、高阀、低阀；
7、带触摸屏集成工控计算机，有严格的检漏、互锁、报警等安全措施；
8、具有He背冷和水冷系统，可冷却待加工基片。
案例分析
1. SiO2均匀性（图1）
l 工艺条件：样品尺寸 6英寸，CF4等刻蚀气体
l 刻蚀时间35秒、70秒、120秒，通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.4%、±2.6%和±1.7%。该参数优于市场上大部分产品（业内通常为±5%）。
2. Si3N4均匀性（图2）
l 工艺条件：样品尺寸 4英寸，CF4等刻蚀气体
l 刻蚀时间40秒、70秒、140秒、280秒，通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。该参数优于市场上大部分产品（业内通常为±5%）。
3. 4寸Si均匀性（图3）
l 工艺条件：CF4等刻蚀气体
l 硅片测试时间为500秒和625秒，测试均匀性分别为±2.85%和±1.12%。该参数优于市场上大部分产品（业内通常为±5%）。
4. 6寸Si均匀性（图4）
l 工艺条件：CF4等刻蚀气体
l 硅片测试时间为300秒，测试均匀性分别为±2.99%。该参数优于市场上大部分产品（业内通常为±5%）。
1. SiN刻蚀陡直度（图5、图6）
l 工艺条件：CHF3和CF4等刻蚀气体
l 刻蚀线条非常陡直。
2. SiO2刻蚀陡直度 (图7、 图8)
l 工艺条件：CHF3和CF4等刻蚀气体
l 刻蚀线条非常陡直。
关于我们
江苏鲁汶仪器有限公司是由比利时鲁汶仪器、中科院微电子研究所等共同注资成立。公司总部位于江苏省邳州市，在比利时设有研发中心及销售部，在北京和俄罗斯设有销售部。公司秉承“以创新为主导，客户信赖为第一”的宗旨，倡导精益求精的工匠精神，为客户提供性能卓越的半导体研发、生产、材料检测等精密设备及配套技术服务。
公司旨在研发与生产大学实验室、研究所及半导体生产线所需仪器设备，瞄准定制化市场。主要产品有薄膜材料纳米孔径分析仪、高端平台刻蚀机、等离子体刻蚀系列设备、化学气相沉积系列设备、溅射薄膜镀膜系列设备、原子层镀膜系列设备、湿法清洗刻蚀系列设备等，公司拥有自主专利技术，核心产品技术国际领先。
公司坚持以人为本，技术团队囊括诺贝尔奖获得者、两名“千人计划”专家，多名国内外半导体领域知名教授及高校科研院所的年轻技术骨干。国际一流的人才团队为公司保持技术领先、实现创新驱动打下了坚实的基础。
公司致力于成为全球一流的半导体设备供应商，愿与客户、供应商、业界同仁及投资者共同开拓和缔造半导体设备领域的广阔未来！