LHQ-200A型PECVD淀积系统

系统简介

l具有平行板电极结构，可进行8英寸片薄膜生长的单腔室设备。

l能淀积SiO2,SiN以及本征α-Si等薄膜。

l适用于半导体器件和IC制备中钝化膜的淀积。

l采用带触摸屏的集成工控机自动控制工艺流程，可靠性高，工艺重复性好，经久耐用。

l用户可自设定和记录多种实验程序，操作简单、效率高。

l可广泛地用于微电子、光电子、太阳电池、半导体器件和传感器等领域。

机器性能

1、可以在200℃~300℃下淀积SiN、SiO2和不掺杂的非晶硅等薄膜；

2、均匀性：≤±5%；

3、淀积速率： SiO2≥30nm/min (采用Ar稀释的5%安全浓度的SiH4)。

标准配置

1、阳极氧化铝反应腔室；

2、载片台（下电极）可放最大样片尺寸：8"圆片或152mm×152mm的方片。样片温度在200~350℃可调；

3、5路进气，5个数字式质量流量计控制流量，可定制增减；

4、射频电源，带自动匹配器；

5、分子泵机组抽本底真空，机械泵抽淀积时的反应气体；

6、工艺过程由带触摸屏的集成工控计算机控制。工艺条件可预设定；

7、有严格的捡漏、互锁、报警和强排风等防毒、防爆的安全措施。