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工艺:用于SiC或Si的高温氧化等工艺
晶圆规格:2”4”6”SiC/Si晶圆
设备结构:水平/垂直
工艺温度:1350/1380℃
炉体温度:可达1500℃或更高
生产能力:研发型/小批量,生产型
设备特点:
优化结构设计 占地面积小
灵活多样的工艺调整
半自动/全自动的选择
极限真空 1 Pa
压力控制:如0.8 Bar至1Ba(或其他要求)
多种的装片方式
极方便的操作、维护方式
极低维护使用成本
极高的可靠性
终生的技术支持!
青岛精诚华旗微电子设备有限公司成立于1993年(青岛华旗科技有限公司,2009年),为专业的IC集成电路及器件工艺、半导体材料(晶体生长等)、半导体特气及废气处理、精密真空热处理炉(磁性材料等,成套)设备及解决方案的高科技研发制造企业。致力于为IC集成电路、功率器件、MEMS器件、LED、太阳能电池、新材料等制造厂家及科研院所提供先进的工艺设备(含成套设备及解决方案)。
出色地完成了部分国家863项目(如GaN厚膜晶体生长的HVPE系统、MOCVD系统等)等。
GB/T19001-2008(ISO9001:2008)质量管理体系认证。
主要产品:氧化扩散炉系列、LPCVD 系统、PECVD系统、HVPE系统、MOCVD系统、RTP快速热处理、气瓶柜、半导体尾气(废)处理SCRUBBER,真空热处理炉、链式炉系列、扩散炉体系列等。
