1）该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀工艺设备

2）采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换，采用多种工艺气体组合，并扩大了允许的工艺温度范围

3）具有最大的工艺灵活性，适用于集成电路、半导体照明、微机电系统、光电子、微电子和微流体技术

应用工艺：

1）低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术

2）用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

 3）GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀

4）金属（Nb, W）刻蚀

主要特点：

1）可处理8 "晶片，也具有小批量（ 2"/4"多片）生产能力

2）采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-20 ° C至50° C

3）用于终端检测的激光干涉仪器可安装在设备上以加强刻蚀控制（可选）

4）6 至12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

5）气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室

6）工作压强0.1-1.0torr