应用 
Peva-600E高精密Lift-Off电子束蒸镀系统乃是针对功率IC元件、砷化镓晶圆及次微米精密线宽要求的Lift-Off製程所设计的整批式量产设备，主要应用在Schottky、MMIC、Ohmic、Gate之金属化或ITO, SiO2制程，拥有独特的蒸镀反应室设计，可以提供更高的产能（增加150%），与更为精准、更可靠的制程需求。


特点 
AST聚昌科技Peva-600E系统的特点包括
(1) 因应功率IC(Ti/Ni/Ag)及ⅢⅤ族砷化镓晶圆各种Lift-Off制程需求（Ti、Au、Al、Ni、Cr、AuGe等），将Throw Distance拉高至＞26~32吋
(2) Run to Run膜厚均匀性可控制至＜±1%，以确保整体产品良率
(3) 最佳化蒸镀腔及排气系统设计，可有效降低Cycle time，并提昇材料利用率（提高20%）
(4) 特殊设计的夹治具，针对薄片制程（<100微米），可靠度极佳
(5) 全自动化、智慧型PC操控系统，提高全厂自动化之需求。

Peva-600E并可加装离子辅助镀膜(IAD)设备，进行低温制程，应用在Achromats、Fiber End Faces、Plastic Optics及MEMS wafers等精密镀膜，同时拥有可提昇至200mm大尺寸、次微米、均匀性±1%之Lift-Off制程能力、更有效的材料利用率、更高的产能与可靠度及整体地板空间使用率大幅缩减的种种优点。



规格 

Wafer Numbers / Sizes (108 -15) pcs / (2"- 6")for Planetary Domes 
E-Beam Power From 6 ~10 kW (Option) 
Ultimate Pressure < 1E-7 Torr 
based Pressure 2E-6 Torr within 30 mins 
Pumping System Cryopump + Rotary Vane Pump
Dry pump (Option) 
Automatic Control System Industrial HMI with Graphic User Interface
Fully PC Interface Operation(Option) 
Thickness/RateProcess Control RS-232 interfaced Real Time Controller including Sweeper, Indexer, Material, Tooling Factor, Soak, RampShutter. 
Substrate Temperature Control RT ~ 350℃ 
Non-Uniformity 5% for WIW, WTWRTR 
Power Requirement AC220V, 3 phase, 60 Hz, 80A, 
Dry N2 Requirement 1.2 kgw/cm2 
CDA Requirement 5 kgw/cm2 
Water Requirement 1.5 kgw/cm2, 20℃, 30 l/min 
Dimension (WxDxH) 1100 x 1200 x 1800 (mm) 
Weight 750 kgw