本设备适用于在涂胶、光刻前对晶片进行预处理。设备由腔体、真空、加热、充氮、加液及控制等系统组成。通过多次预抽真空，150?C热氮加热，既能达到使硅片表面干燥、洁净的效果，又能够有效的防止硅片的氧化和杂质的扩散，并且可以通过加液系统在硅片表面生成HDMS保护膜，从而使硅片具有良好的光刻性能。也可用于晶片其它工艺的清洗。控制采用PLC，人机界面采用触摸屏，具有可靠性高，操作方便、直观等特点。
　　主要技术指标
　　整机尺寸：600x620X1260mm3
　　真空腔体尺寸：450×450×450mm；材质：不锈钢
　　双层承片板，承片板尺寸：420×410mm；上下层距离190mm
　　整机消耗电源AC220V，2KW
　　采用2XZ-4真空泵，系统可达到真空度-100Kpa
　　加热方式：腔体下部及两侧加温。加热器为内置加热板，功率1.5KW，腔体温度：20℃～160℃±2℃；可调
　　配HMDS液体一瓶