用途
低压扩散炉是在工艺工程中，将反映腔室内氛围精确控制在低于一个标准大气压范围值内，再进行晶硅电池制造中的掺杂工艺。
特点
1、可配工艺管数为五管；
2、70~120Ω/□区间的5点方阻均匀性可达到4% 、3%、3%；
3、磷源节约70%，氮气节约95%，COO优势明显；
4、产能≥1000片/管 ；
5、工艺时间80-90min；
6、可在原有扩散炉上升级改造；
7、适用于磷扩和硼扩工艺；
8、炉门密封采用双层结构，确保腔内压力稳定；
9、可选配（MES接口、自动上下料、上下位机控制、在线倒片机构）。
核心技术指标
70~120Ω/□区间的5点方阻均匀性可达到4% 、3%、3%。
应用领域
PV
核心技术参数
1、适用硅片尺寸：125mm×125mm /156mm×156mm及非标尺寸硅片；
2、装片量：≥1000片/管
3、工作温度范围：600～1200℃；
4、恒温区长度及精度：±0.5℃/1300mm；
5、气体流量控制精度: ±1％F.S；
6. 气路系统气密性：1×10-7pa.m3/s；
7. 真空系统漏率：≤4mbar/min（冷态）≤6mbar/min（热态）；
8. 压力调节范围：50～800mbar，连续可调；
9. 五点PROFILE热偶串级控温。