LPCVD是用加热的方式，在低压条件下，使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si,Si3N4, SiO2, 磷硅玻璃，硼磷硅玻璃，非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路，电力电子，光电子及MEMS等行业的生产工艺中。