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美国Trion Technology
反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统 |
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批量生产用设备:
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去胶系统
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- 低损伤去胶系统
新式去胶系统的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通过两套价格低廉、紧凑的多功能系统使这一关键问题得到解决：Gemini和Apollo。利用ICP(电感耦合等离子)、微波和射频偏置功率，可以在低温条件下将难于消除的光刻胶去除。根据应用要求，每套系统可以结合SST-Lightning 微波源(既可靠又没有任何常见的微波调谐问题) 或ICP 技术。 • 刻蚀速率高达6微米/分 • 高产量 • 等离子损伤低 • 自动匹配单元 • 适用于100mm 到300mm 基片 • 设备占地面积小 • 价格具竞争性 |
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刻蚀/沉积
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Titan是一套用于半导体生产的十分紧凑、全自动化、带预真空室的等离子系统。
Titan具有反应离子刻蚀(RIE)配置、高密度电感耦合等离子沉积(HDICP)或等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。 刻蚀应用范围： 砷化镓、砷化铝镓、氮化镓、磷化镓、磷化铟、铝、硅化物、铬以及其他要求腐蚀性和非腐蚀性化学刻蚀的材料。 沉积应用范围： 二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各种材料。 |
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Oracle III由中央真空传输系统(CVT)、真空盒升降机和最多四个工艺反应室构成。这些工艺反应室与中央负载锁对接，既能够以生产模式运行，也能够作为单个系统独立作业。 Oracle III是市场上最灵活的系统，既可以为实验室环境进行配置(使用单基片装卸)，也可以为批量生产进行配置(使用真空盒升降机进行基片传送)。
由于Oracle III 最多可容纳四个独立的工艺室，其可以有多种不同的工艺组合，其中包括RIE/ICP (反应离子刻蚀机/电感耦合等离子)刻蚀和PECVD 沉积。多个室可以同时工作。鉴于所有工艺室均有真空负载锁，工艺运行安全且没有大气污染。 |
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小批量生产用设备:
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沉积 (PECVD)
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Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。可以使用的反应气体包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。
该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。其中三极管使得用户可以创建高密度等离子，从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室，其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触，从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而保持反应室与大气隔绝。 |
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刻蚀 (RIE)
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Minilock-Phantom III 具有预真空室的反应离子刻蚀机。适用于单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批量处理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。
该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。 |
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实验室/研发/芯片失效分析用设备:
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沉积
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Orion III 等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片(2” - 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产提供最先进的沉积能力。Orion III系统用于非发火PECVD工艺。沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅。工艺气体：<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧和氮。该设备可选配一个ICP或三极管(Triode)源。
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刻蚀
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Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸，为实验室和试制线生产提供最先进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛)
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Sirus T2 台面式反应离子刻蚀机(RIE)可用于介质以及其它要求氟化基化学的薄膜刻蚀。用於对矽、二氧化矽、氮化矽、石英、聚亚醯胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特徵控制，高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。
本机包含200mm下电极, 系统控制器(含电脑主机及触控介面)，13.56MHz, 300/600W 射频发生器及自动调谐，最大四路/六路工艺气体及自动压力控制模块等。占地面积小且坚固耐用，非常适合用於研发，实验室环境及失效分析。 |
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