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氮化铝(AlN) 衬底片 北京中研环
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品牌 中研环
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氮化铝(AlN)
陶瓷基片
氮化铝(AlN)
 

简介:

用途:AlN具有热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性的特点,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。

特点:北京瑞发致远能提供常规AlN和金属化的AlN基片。即在AlN表面镀一层金属层,其附着力在1.5-3.0之间,可焊性好。

参数:

 

AlN单晶基片
密度 3.20-3.26g/cm3
纯度 >99.99%
热膨胀系数 4.2-4.5ppm/℃
介电常数 8.7-9.0
抛光 单面或双面
封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒
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