硅衬底
多晶硅片 电类型:P型 旭阳雷迪
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多晶硅片 电类型:P型 旭阳雷迪

电类型:P型
尺寸:156×156±0.5mm
形状:方形
电阻率:为1.0Ω.cm-3Ω.cm
少子寿命:≥1.2μs
氧含量≤1×1018atoms/cm3
碳含量≤5×1017atoms/cm3
厚度:200μm±15μm
TTV:≤30μm
BOW:≤30μm
线痕:≤10μm
崩边:长度≤1mm;深度≤1mm;不超过2处
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