表面：单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片

晶向：<100>  \ <111>\   <110>\ <211>\  <511> 以及各种偏角度的硅片

厚度： 100um  200um 300um  400um  500um  1mm  5mm等各种厚度，厚度公差+-10um,

             TTV< 10um或按客户要求，粗糙度<0.2nm

导电类型： N-type、  P-type、undope (本征高阻)

单晶方式： 直拉（CZ）、区熔（FZ）、NTD（中照）

电阻率： 重掺最低可达 <0.001 ohm.cm， 低掺常规1~10 ohm.com ，

中照常规500~800ohm.cm，区熔本征：> 1000 ohm.cm， >3000 ohm.cm，

>5000 ohm.cm，>8000 ohm.cm，>10000 ohm.cm

 其他规格可以完全按照客户要求定制。