产品型号
Item
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ST-ncY-Φ100 | |||
尺寸
Size (mm)
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Φ100.0±0.5 | |||
GaN厚度
Thickness (μm)
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6~8,Customized | |||
导电类型
Conduction Type
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Un-doped N-type | Si-doped N-type | ||
电阻率 (300K)
Resistivity (Ω•cm)
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≤ 0.5 | ≤ 0.05 | ||
晶向
Orientation
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C-axis(0001)±0.5° | |||
GaN层厚度均匀性
GaN Thickness Uniformity
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≤ ±5% | ≤ ±8% | ≤ ±10% | |
位错密度
Dislocation Density (cm﹣² )
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Grade A
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Grade B | ||
107 | 108 | |||
衬底结构
Substrate Structure
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GaN on Sapphire(0001) | |||
有效面积
Useable Surface Area
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>90% | |||
包装
Package
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Packaged in a class 100 clean room environment. |
4英寸氮化镓复合衬底 东莞中镓
人气:610 销量:0 评价:0
单价 | ¥0.00 |
库存 | 1000件 |
品牌 | 中镓 |
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- 交易记录(0)
4英寸氮化镓复合衬底
联系方式
公司:东莞市中镓半导体科技有限公司
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:陈健民(先生)
电话:0769-86739999-800
地区:中国-广东省
地址:中国广东省东莞市企石镇科技工业园
QQ:562917566
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