氮化镓
4英寸氮化镓复合衬底 东莞中镓
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品牌 中镓
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4英寸氮化镓复合衬底

产品型号
Item
           ST-ncY-Φ100        
尺寸
Size (mm)
  Φ100.0±0.5
GaN厚度
Thickness (μm)
   6~8,Customized
导电类型
Conduction Type
  Un-doped N-type  Si-doped N-type
电阻率 (300K)
Resistivity (Ω•cm)
  ≤ 0.5  ≤ 0.05
晶向
Orientation
C-axis(0001)±0.5°   
GaN层厚度均匀性
GaN Thickness Uniformity
      ≤ ±5%             ≤ ±8%       ≤ ±10%
位错密度
Dislocation Density (cm﹣² )­
   Grade A
Grade B
107 108
衬底结构
Substrate Structure
GaN on Sapphire(0001)   
有效面积
Useable Surface Area
 >90%  
包装
Package
Packaged in a class 100 clean room environment.   

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