MORSENSEMI 3英寸InP单晶片主要参数指标
|
掺杂
|
导电类型
|
载流子浓度（cm-3）
|
迁移率（cm2V-1s-1）
|
电阻（Ω.cm）
|
位错（cm-2）
|
|||
|
非掺
|
N-型
|
≤3×1016
|
（3.5-4）×103
|
≤1000
|
||||
|
掺S
|
N-型
|
（0.8-6）×1018
|
（1.5-3.5）×103
|
≤5000/≤500
|
||||
|
掺Zn
|
P-型
|
（0.6-6）×1018
|
50-70
|
≤5000
|
||||
|
掺Fe
|
SI
|
＞2000
|
＞1×107
|
≤5000
|
||||
|
加工技术参数
|
||||||||
|
规格
|
2英寸
|
3英寸
|
4英寸
|
|||||
|
直径（mm）
|
50.8±0.5
|
76.2±0.5
|
100.0±0.5
|
|||||
|
厚度（μm）
|
350±25
|
600±25
|
625±25
|
|||||
|
晶向
|
（100）/（111）±0.5°
|
|||||||
|
主定位边长（mm）
|
16±2
|
22±2
|
32.5±2
|
|||||
|
副定位边长（mm）
|
8±1
|
11±1
|
18±1
|
|||||
|
平整度TTV(μm)
|
＜10
|
＜10
|
＜15
|
|||||
|
弯曲度Bow（μm）
|
＜10
|
＜10
|
＜15
|
|||||
|
翘曲度Warp（μm）
|
＜15
|
＜15
|
＜15
|
|||||
|
其他产品参数可按照客户要求定制
|
||||||||