GaP晶体的基本参数
| 晶体结构 | 立方 a =5.4505 Å |
| 生长方法 | 提拉法 |
| 密度 | 4.13 g/cm3 |
| 熔点 | 1480 oC1 |
| 热膨胀系数 | 5.3 x10-6 / oC |
| 掺杂物质 | 掺S 不掺杂 |
| 方向 | <111>or<100> <100>or<111> |
| 类型 | N N |
| 热传导率 | 2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3 |
| 电阻率W.cm | ~0.03 ~0.3 |
| EPD (cm-2 ) | < 3x105 < 3x105 |
晶向<100>,<111>
2英寸磷化镓衬底晶片
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| 单价 | ￥800.00 |
| 库存 | 200件 |
| 品牌 | 未填写 |
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