GaSb 单晶参数
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品种
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直径
（英寸）
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类型
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浓度
（cm-3）
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迁移率
(cm2/V.s)
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位错密度
(cm-2)
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纯 GaSb
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2/3/4
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P
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(1-2)´1017
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600-700
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<3000
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Zn-GaSb
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P
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(5-100) ´1017
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200-500
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<3000
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Te-GaSb
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N
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(1-60)´1017
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2000-3500
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<3000
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晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100）, 标准厚度: 2英寸片，500±25mm；
3英寸片600±25mm， 4英寸片800±25mm 。可加工其它特殊参数要求晶片。
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