品种

直径

（英寸）

类型

浓度

（cm^-3）

迁移率

(cm²/V.s)

电阻率

(W.cm)

位错密度

(cm^-2)

非掺 InP

2

N

(0.8-2)´10¹⁶

(3.5- 4) ´10³

(5-6)´10⁴

S-InP

2

N

(0.8-3)´10¹⁸

(4-8)´10¹⁸

(2.0-2.4) ´10³

(1.0-1.6) ´10³

< 3´10⁴

 <5´10²(60%面积)

3

N

(0.8-3)´10¹⁸

(4-6)´10¹⁸

(2.0-2.4) ´10³

(1.3-1.6) ´10³

< 5´10⁴

< 1´10³(60%面积)

Zn-InP

2/3

P

(0.6-2) ´10¹⁸

(3-6)´10¹⁸

70-90

50-70

< 5´10⁴

 <5´10²(60%面积)

Fe-InP

2

N

10⁷-10⁸

³2000

10⁷-10⁸

< 3´10⁴

3

N

10⁷-10⁸

³2000

10⁷-10⁸

< 6´10⁴

多晶

50-70

N

(0.6-5)´10¹⁶

晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100）, (111)。 标准厚度: 2英寸片， 350±25mm；3英寸片600±25mm，  可加工其它特殊参数要求晶片。