我公司可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片，质量优良；氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。另:我司代理LPCVD PECVD 镀膜氧化等工序欢迎来电咨询及加工；
热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。
应用范围：
1，刻蚀率测定
2，金属打线测试
3，金属晶圆
4，电性绝缘层