碳化硅材料特性 

● SiC是继第一代元素半导体材料(Ge和Si)、第二代化合物半导体材料(GaAs、InP等)发展起来的第三代宽禁带半导体材料，具有大的禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、抗辐射能力强等优良的物理化学特性和电学特性，在高温、高频率、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及短波长光电子器件和光电集成等应用场合是理想的半导体材料之一，特别是在极端条件和恶劣环境下应用，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件

碳化硅的主要应用领域

● 高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT

● 光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED