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功能：精准找出晶圆上下层集成电路对位偏移量
应用范围：半导体、光电、光通讯等
技术参数/General specifications：
技术（Technology）：红外CCD（IR CCD）
视场（FOV）：0.8mm*0.5 mm和1.25μm分辨率
(0.8mm x 0.6mm with 1.25 um resolution)
衬底（Substrate）：硅，砷化镓（Si, GaAs）
测量参数（Measure parameter）：重叠和CD自动分析（Overlap & CD (Auto analysis)）
光源（Light source）：明场&透射光场照明
(Bright field & transmitted bright field illumination)
关键词（Keyword）：3D、IC、重叠（overlap）
