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主要用于集成电路、分离器件、LED芯片等的背面减薄，也适用于硅、锗、石英、砷化镓、陶瓷等硬脆材料的精密减薄。
采用In-feed磨削原理
采用2主轴3承片台结构
全自动上下料
兼容4"5"6"8"晶圆
最薄可减薄到100μm 以下
片内厚度偏差TTV可达1.5μm以下（使用专用承片台）
片间厚度偏差WTW可达±3μm以下
设备主要用于硅、锗、石英、砷化镓、陶瓷、蓝宝石、碳化硅等硬脆材料的精密减薄，也适用于集成电路、分离器件、LED芯片等的背面减薄
采用In-feed磨削原理
采用1主轴1承片台结构
可兼容4"5"6"8"12"晶圆
最薄可减薄到100μm以下
可在线修锐磨轮
片内厚度偏差TTV可达1.5μm以下（使用专用承片台）
片间厚度偏差WTW可达±3μm以下
可使用绷架的方式磨削残破或不规则片
