MA100/150e Gen2 Mask Aligner

SUSS MicroTec为热门化合物半导体工艺专门设计了一款新型光刻平台：MA100/150e Gen2。化合物半导体工艺，是指诸如高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等方面的半导体应用。MA100/150e Gen2具备高精度对准功能，上至0.7µm的光刻分辨率，拥有为易碎、翘曲或透明晶圆片定制的传载系统等强大功能和配置，足以应对LED制造领域目前所有的工艺难题。它的推出将帮助客户提高制造效率，并有效降低成本。

亮点

*为高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等专门设计的光刻机

*同时传载3片晶圆片，产量>145片/小时（包括自动对准时间和曝光时间）

*近式曝光条件下获得更好的分辨率（薄胶，20um曝光间距时获得高至3µm L/S的分辨率）

*多尺寸夹具最大程度减少更换晶圆片尺寸的时间

*非接触式预对准，避免晶圆片损坏

*晶圆将划线精确地对齐到照片掩模上

基于SUSS MicroTec的光刻机经典设计，MA100/150e Gen2提供了卓越的工艺延展性，使客户能够将新的芯片设计快速投入市场，其光刻作业产量高达每小时145片。

MA100/150e Gen2针对上至4英寸的小尺寸晶圆片进行了特别优化设计。系统可以稳定地达到优于0.7µm的对准精度（直接对准）。选配的底部对准功能（BSA），对准精确度优于±1.5 µm。MA100/150e的对准单元针对LED制造工艺要求进行了特别调校，透明和表面粗糙的晶圆片都能获得极好的对比度。

详细信息: 对准技术(顶面对准, 背面对准, DIRECT ALIGN, 红外对准)

在光刻工艺中，只需对准器件晶圆同侧的结构（例如再布线层、微凸点 等），用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。  根据衬底的特性，这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。 

我们的客户可以从中得到以下好处

.掩模对准器极高的对准精度

.清晰、强大的图像识别功能，即使在对比度不理想的情况下

详细信息: 曝光(阴影曝光/接近曝光,软接触曝光,硬接触曝光, 真空接触曝光)

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐，然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小（因此又叫“接近式光刻”）。 在曝光过程中，掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量，一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快，应用灵活，从而成为微结构生产最具成本效益的方法，它能生产出最小3微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统（MEMS）、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模对准器以阴影工艺为基础。

我们的客户可以从中得到以下好处

.因为镜头系统衍射减少，从而得到更突出的分辨率。

.使用了微镜片镜头系统，所以工艺稳定

详细信息: Exposure Optics

HR/LGO曝光系统, 抗衍射曝光系统, MO EXPOSE OPTICS

The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.

详细信息: Automation

SUSS掩模对准器配备了WEC头系统，允许以微米级精度达到基片和掩模之间的并行度。

选项: 对准技术(THERMALIGN, 大明场对准, 强化对准)

恒温夹具补偿

光掩模和晶圆之间的热膨胀不同可显著影响套刻精度。SUSS MicroTec 温控系统 ThermAlign® 确保晶圆夹具温度恒定，以此稳定掩模温度。通过调整工艺温度，ThermAlign® 平衡热效应。

选项: 曝光(实验室模拟软件,掩模板优化)

模拟光刻工艺

模拟光刻工艺无需反复试验就可优化调整工艺参数。SÜSS MicroTec 公司与生产商 GenISys 销售的“实验室”光刻工艺多功能模拟软件为用户带来更强大的工艺控制。它提供集成设计和工艺开发所有必要的模拟功能，以及验证和优化功能。包括从曝光调整和掩模结构改进到光刻胶处理的所有工艺步骤。此外，先进的3D模拟功能进一步优化模块的演示效果。

MO Exposure Optics 结合专为 SÜSS 光学系统打造的实验室镜头模块，使实验室能够根据客户定向优化曝光滤板设计，从而改进结构精度。

亮点

.完整模拟掩模对准器的光刻过程

.可调节曝光参数（准直、光谱成分），特别是预先定义所有 SÜSS 光学系统

.快速灵活演示以及1 维 、2 维和 3 维定量分析

选项: OTHERS

处理敏感和弯曲的衬底

晶片传送被认为是自动化生产过程中的重要挑战。在工艺转换率较高且有大量不同衬底的生产环境中，例如晶圆生产中，要求处理系统能够快速转换。自动处理系统的可靠性直接影响生产率和产量。SÜSS 光刻机是一款可灵活更换的、处理各种不同敏感、弯曲或起拱起衬底的专用工具，满足客户所要求的严苛生产过程。

处理薄晶圆
特殊真空卡盘支持厚度小于120微米到50微米的超薄晶圆。

处理弯曲晶圆
对准和曝光前小心拉平弯曲或起拱晶圆。由于有众多影响参数，经过优化设计的工具能够适应各种衬底。

边缘处理
保护晶圆的特殊处理系统，特别适用于在MEMS中保护双面结构。