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4001027270
AWB具有执行对齐功能:
阳极,共晶,直接(高温和低温)玻璃熔块,粘合剂,焊料和热压晶片焊接。
新的“无粘合剂”临时粘接
在一台机器上对中和粘接
In-situ 对齐 accuracy. 1 微米
10-6mbar Vacuum 2 条 过程 ?特高压选项
Voltage 2.5 kV.
Temperature 560 ° C.
Forces 40 kN.
结合 周期 / 高 throughput. Market 领先 快
2 “ 8 ". Wafer 大小
In-situ UV cure.
自动PC控制和数据采集
实时控制所有键参数或全自动配方。所有的键合参数,如电流、电压、集成电荷、温度、室压、力、晶圆分离、运行参数、配方、SPC晶圆批号、事件日志等,都自动存储在文件中,用于图形绘制和趋势分析。机器也可以联网,并由AML远程询问,以帮助发现故障。全自动配方,包括在生产环境中自动对齐除雾操作。
对齐方式:
手动和自动对齐。原位对齐比其他焊接(在粘结室外进行对齐)具有优势。'一键'对齐和键合。可见光和红外光谱。广泛间隔的三维对齐标记的图像捕获。
校准可进行热或冷:
这消除了由于热膨胀和晶圆片、机器部件和压板之间的不匹配而导致的对准误差。
大晶片分离:
允许晶圆片之间存在较大的温差,这是通过工艺气体(如成形气体)更好地活化或原位氧化还原晶圆片的理想选择。也允许快速,高真空和良好定义的焊接环境。
现场系统:
还可以在粘接过程之前直观地确认所需的对齐仍在进行中。
晶片尺寸:
2 ", 3", 4", 5 ", 6 "和8 "。(芯片和形状奇怪的基板,但没有对齐)。
机械手:
使晶圆片在真空和高温下能够原位对准。
接触力:通过手动或电动液压提供,最大可达40kN。
精密晶圆平行度调整。
1μm对准精度。
光学:
双显微镜-通过镜头照明的照相机系统。两个CCD相机并排显示图像。包括红外功能。同时显示晶圆片的分离力和键合力,实现对中控制。
成键
环境:
真空,或工艺气体。全自动干式涡轮泵送系统~ 1x10- 6mbar至2bar绝对压力。特高压选项
温度:
上下压板均可独立调节,在1°C的步骤。加热和冷却速度可编程。最高温度是560℃。
电极(阳极键合):
全尺寸加热板,用于上下电极,以获得更好的粘结均匀性。0-2.5千伏直流可达40毫安。恒流或恒压运行,改善过程控制和应力管理。
AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圆片和芯片
AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片
其他选项:
Auto alignment.
Triple 堆栈 结合 tool.
Powered lid.
Pressure control.
CMOS compatible.
High 精度 系统 1 μm alignment.
低温 激活 bonding. RAD 工具
In-situ UV Cure.
Motorised X, Y, Ǿ & Z movement.
Image capture.
Process support.
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