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SUSS MA/BA6 光刻/键合预对准机是德国SUSS 的拳头产品。该机型经过多年的不断改进,性能不断得到提高和优化,该机型的曝光系统、对准系统、控制系统和芯片找平系统等,拥有多项专利技术。该产品的用户遍布欧洲、北美、亚洲各类研发及生产类客户,是享誉世界的优秀产品。
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SUSS 采用专利的“消衍射”光学系统,曝光光束呈一特定夹角投射到掩膜版上,能够有效消除紫外光在投射到亚微米线条时的次级衍射峰,此专利可以大大提高光刻机在制作1um 及以下线宽图形时的极限分辨率和工艺成品率。使该光刻机能够稳定、高成品率地实现亚微米图形的光刻。
不同于其他光刻机厂家的半球气悬式找平方式,SUSS 采用高精密的专利三点锁止全自动找平系统,有效地补偿芯片不同区域厚度差异带来的光刻效果劣化。并且,三点锁止方式可杜绝漂移现象,同时可以精确设定对准间隙;此专利技术能够确保光刻机长期稳定性和可靠性。
在对准过程中,SUSS 光刻机掩膜版位置始终保持不动,确保了最佳的对准精度。
普通光刻机的光强均匀性只能达到±5%左右;而且在同一机器上只能实现“高分辨率”或
“大景深”一种曝光模式。SUSS 区别于其他厂家的曝光光学系统,采用专利的微镜MO 消衍射光学系统。区别于以往的光刻机,装备MO 光学系统的光刻机在更换汞灯时,无需做任何均匀性校正与调整,且在整个汞灯的使用周期内,也均无需对系统进行任何的均匀性校正与调整,6英寸范围光强均匀性高达±2.5%;而且,MO 光学系统可在同一光学系统上可实现高分辨率光刻和大景深光刻两种模式,两种模式切换方便,切换时间小于3 分钟,且都可以得到高质量的曝光效果。对于普通的光刻工艺,光刻分辨率为0.7 微米;还可以进行大景深光刻工艺,20 微米曝光间距时光刻分辨率达到2.5 微米(光刻胶厚度 1um)。
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