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    美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪

    产品品牌

    易恩电气

    规格型号:

    800×800×1800(mm)

    发货期限:

    30天天

    库       存:

    100

    产       地:

    中国-陕西省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    188.00
    交易保障 担保交易 网银支付

    品牌:易恩电气

    型号:800×800×1800(mm)

    所属系列:半导体测试设备-电学性能测试-二极管测试仪

     美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪

    西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统

    规格环境

    A.  环境温度:    25±10℃,

    B. 相对湿度:   湿度不大于65%

    C.  大气压力:    86Kpa~ 106Kpa

    D.  工作电压:三相五线制AC 380V±10%,或者单相三线制AC 220V±10%

    E. 电网频率:    50Hz±1Hz

    F.  压缩空气:   0.4~0.6Mpa

    G.  防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;

    功能简介

    此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。

    开关时间测试单元

    开启延迟时间(Td(on))     上升时间(Tr)

    关断延迟时间(Td(off))    下降时间(Tf)

    开启损耗Eon              关断损耗Eoff

    二极管反向恢复测试单元

    反向恢复时间(Trr)       反向恢复电荷(Qrr)

    栅极电荷测试单元

    阈值电荷(Qg(th))      栅电荷(Qg)

    静态全参数测试单元

    RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

    雪崩测试单元

    雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)

    测量的MOSFET动态参数

    参数名称

    符号

    参数名称

    符号

    开通延迟时间

    td(on)

    关断延迟时间

    td(off)

    上升时间

    tr

    下降时间

    tf

    开通时间

    ton

    关断时间

    toff

    开通损耗

    Eon

    关断损耗

    Eoff

    栅极电荷

    Qg

    拖尾时间

    tz

     

    测量的DIODE动态参数

    参数名称

    符号

    参数名称

    符号

    反向恢复时间

    trr

    反向恢复电荷

    Qrr

     

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