高精度新型高温反偏试验台_其他老化设备_寿命测试设备_半导体测试设备_设备馆

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高精度新型高温反偏试验台

设备简述

IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。

DBC-320测试台是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配，同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750，IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统，后台软件实时监控、自动处理目标数据，具有测试精度高、操作方便、高效等优点。

试验台概要

电气系统额定参数

A．输入电压：380V AC；

B. 输出电压：0-5000V DC；

C. 输出电流：2.5A(Max)；

D. 工作相抵湿度：空气湿度 < 50%（高压设备严格要求）；

E. 环境温度：0-50℃。

加热及散热系统

该设备测试夹具共48个工位，毎路均配置独立的加热及冷却系统，控温范围为：70-150±1.0℃，温度分辨率为0.1℃。散热器表面温度升到目标温度控制在40分钟内。

夹具柜共分为两个柜体，每个柜体24个工位，每个工位配有温度控制系统，配备温控表显示实时温度。如图温控表上面为实时温度，下面为设定温度。如需温控表的详细参数，请咨询技术人员索要说明书。

测试技术参数

1）每个工位电流：输出范围0-40mA，过流保护值40Ma,

2）输出电压：200-4700V，分辨率10V,精度±2%±10V，（空-满载调整率<2%）,100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V，（空-满载调整率<2%）。

试验电压可设定保护值，保护动作时切断主电路，并带有声光报警。

3）工位输出电流：每个工位分为高低档，低档：0.1-15ma，分辨率0.1ma，精度±2%±0.1ma；高档：15-40ma，分辨率0.1ma，精度±5%±0.5ma；漏电流采集模块内三只单管的并联值。

漏电流可设定保护值，保护动作时切断相应工位主电路，并带有声光报警。

4）工位对IGBT封装的兼容性：本设备适用器件尺寸190×140mm，夹具适配器调整后可兼容130×140mm尺寸。

每个工位有卡槽固定IGBT基板位置，气缸控制适配器，气动下压；模块基板采用气动压接方式固定在加热体表面；本试验台另配气泵等附件。

设备组成

本设备共分为四个机柜,分别为:计算机控制柜、电源柜、两个夹具柜。

控制柜

控制柜为整个系统的控制及数据采集部分，利用工业控制计算机控制整个测试过程，进行实时监控，报警并进行数据显示。

电源柜

电源柜为整个系统的高压输出电源部分。为元件测试提供持续0-5000V高压。并且电源具有过流保护功能。

夹具柜

夹具柜为整个测试系统与被测元件的测试接口。夹具柜共分为48个工位，可一次性提供48个元件同时进行测试。

技术指标

静态参数测试		高压反偏测试
测试参数IR	0.01mA～2mA 0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 测试条件：反向电压：直流50～5000V ±3%±10V.	试验电压： 50～5000V ±3%±10V 器件漏电流测试范围： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 测试时间：计算机设定测试方法：器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电压下对每只器件同时持续加反压进行测试，每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果，监控各器件反压下漏电流参数，并保存测试数据。
测试参数BVR	50V～5000V±3%±10V。测试条件：反向电流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
测试方法	器件在特定温度下存储一定时间后，先测试IR ，每只器件依次进行测试，测试间隔时间为约1S。然后同时测试BVR，依次采集电流。间隔时间为约100mS。

功能指标

试验高低温度范围	-50 ºC～140ºC
高低温箱温控精度	±1
温度范围	-50℃～RT
温度波动	≤±2℃(空载时)
温度均匀	≤±3℃(空载时)
升温速率	不小于1～3℃/min（空载时）
供电电源	220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地

规格

尺寸：1800×650×500（mm）

质量：175kg

测试工位：20工位

工位转换：自动切换

耐温范围：-50ºC～140ºC