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微波PECVD：能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12“ 直径的基片上.采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体。

微波PECVD产品特点：

不锈钢或铝制腔体
极限真空可达10-7Torr
RF淋浴头，HCD或微波等离子源可选
高达12"(300mm)直径的样品台
RF射频偏压样品台
水冷样品台
可加热到800 °C样品台
加热的气体管路
加热的液体传送单元
抗腐蚀的涡轮分子泵组
1路载体气体以及3路反应气体，带MFC
最大可支持8路MFC，带排放箱及气体阀组
预真空锁及自动上下载腔门
气动控制阀
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁

微波PECVD产品应用：

等离子诱导表面改性
等离子清洗
等离子聚合
SiO2, Si3N4, a-Si, DLC以及其它薄膜
CNT选择性生长

微波PECVD设备型号：

NPE-4000：基于PC计算机全自动控制的独立系统
NPE-3500：基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立系统
NPE-3000：基于PC计算机全自动控制的台式系统
NRP-4000：RIE/PECVD双系统
NSP-4000：溅射/PECVD双系统

微波PECVD能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12"直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。

微波PECVD 那诺

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