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主要用途：
用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等，广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。
系统组成:
系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标：
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：真空室800x600 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统
e型电子枪：阳极电压：8kv、10kv(1套)
坩埚：水冷式坩埚，六穴设计，每个容量11ml
功率：0-10KW可调
电阻蒸发源(可选)
电压：5、10V
功率：电流300A，最大输出功率3Kw1套，可切换水冷电
极3根，组成2个蒸发舟
基片尺寸：可放置4″基片
样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热最高温度 800°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套
气路系统：质量流量控制器1路
石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999Å
