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设备型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M
光学系统：
曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
有安全保护装置的温度及其气流传感器；
全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；
波长滤片检查及安装装置
抗衍射反射功能高效反光镜；
二向色的防热透镜装置；
防汞灯泄漏装置；
配备蝇眼棱镜装置
配备近紫外（或深紫外）光源，
--220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
--254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
--365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
--400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2
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背后对准测试1: |
背后对准测试2: |
主要配置：
6“，8”光源系统
可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻
手动系统，半自动系统
支持电源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波长（可选项）
支持背后对准及MEMS工艺要求
CCD或显微镜对准系统
主要性能指标：
光强均匀性Beam Uniformity:：
--<±1% over 2” 区域
--<±2% over 4” 区域
--<±3% over 6” 区域
接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um
接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
支持接近式曝光，特征尺寸CD：
--0.8um 硬接触
--1um 20um 间距时
--2um 50um 间距时
正面对准精度 ± 0.5um
背面对准精度±1um--±2um（Depends on user）
支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
支持真空、接近式、接触式曝光
支持恒定光强或恒定功率模式
