介质的等离子体增强化学气相淀积(PECVD)设备工作原理为，在真空压力下，加在电极板上的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走。PECVD沉积技术除了用于制作器件的钝化膜、增透膜外，它还可以用于制作光电器件扩散工艺的阻挡层，以形成所需的PN结。 等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术是近几年来极受重视的制备介质膜的先进工艺技术。它允许衬底保持在较低温度(一般在300～450℃)下生长介质薄膜。与热反应相比，它能增强淀积速率获得均匀组分和特性的介质膜。 在许多应用中，需要在非常低的衬底温度下淀积薄膜。在铝上淀积SiO2和在GaAs（砷化镓）上淀积Si3N4保护层是两个常见的实例。为了适应较低的衬底温度，对于气体和吸附的分子应当采用另一种能源。虽然光学增强淀积在实验上已被证实，哪怕是看到在生产上已有限的应用，但用于驱动CVD反应的主要非热能源是RF等离子体。等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统利用离子轰击表面，带来的附加好处是对次生物质(adspecies)提供能量， 使得它们在没有高衬底温度条件下进一步沿表面扩散。因此，该工艺在填充小几何结构方面非常好。PECVD主要是用于淀积绝缘层的，只需要考虑RF放电。
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