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LPCVD产品应用：用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生长工艺及其掺杂（如PSG或BPSG等）

产品名称： LPCVD系列
应用领域：半导体
关键字：LPCVD
产品咨询电话：4008-110044
产品详细描述：

LPCVD产品应用：用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生长工艺及其掺杂（如PSG或BPSG等）

LPCVD产品特点：
◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器，操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管），流量控制采用进口质量流量计（MFC）
◆工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和可靠性
◆控温精度高，温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

LPCVD主要技术指标：
◆工作温度：300～1000℃
◆适应硅片尺寸：2～6英寸
◆装片数量：30～100片/管
◆工艺管数量：1～3管（可选择）
◆恒温区长度： 800mm±1℃（热壁式，可形成温度梯度）
◆极限真空度： 8.0× 10^-1 Pa（约6.0× 10^-3Torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000Pa可调
◆淀积膜均匀性：片内≤±1%
◆控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）
◆气源系统：进口阀管件、自动轨道焊接
欢迎索取相应详尽的技术资料及共研相应项目的解决方案。

青岛精诚华旗微电子设备有限公司(青岛华旗科技有限公司，建于1993年)，为专业半导体工艺设备及先进材料专用设备研发制造厂家。致力于为半导体集成IC电路分立器件、MEMS、太阳能电池、半导体照明LED及磁性材料厂家提供先进的专用设备，工艺涵盖化合物半导体晶体生长（及提纯、合成等）、外延、薄膜淀积（氮化硅、氧化硅、多晶硅等）、氧化扩散（包括退火合金含工艺及快速退火工艺等）、真空烧结等工艺。半导体工艺设备覆盖三代半导体材料--硅、砷化镓、氮化镓等，高性能磁性材料真空设备（钐钴、钕铁硼等）。同时承担了部分国家863项目（如半导体白光照明GaN生长的HVPE设备等）及相关的国家重点项目等。
    青岛精诚华旗（“华旗科技”）拥有十几年的专业研发制造经验，产品服务广泛应用于行业内的大专院校科研院所、半导体制造、高性能磁性材料制造的企业工厂等。
     青岛精诚华旗（“华旗科技”）拥有精良的科研、设计、制造、服务团队，为中国电子专用设备协会、中国磁性材料与器件协会等多家协会会员单位，承接并出色完成了一系列国家重点项目的专用设备的设计制造。
    2006年通过GB/T19001-2008(ISO9001:2008)质量管理体系认证。
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